据科技日报报道，近日，北京大学化学与分子工程学院彭海林教授团队及其合作者利用冷冻电子断层扫描技术，研究了液体环境下光刻胶分子的微观三维结构、界面分布和行为。首次在原位指导开发可减少光刻的工业解决方案。相关论文近期发表在《Nature》杂志上。光刻胶聚合物的界面分布、三维结构和纠缠模式。照片由北京大学提供。一举解决三大痛点。 “显影”是光刻的主要步骤之一。光刻胶的曝光区域已经被显影剂熔化，电路图案被精确地转移到硅片上。光刻胶就像是用来绘制电路的颜料。它在开发商的运动d直接决定了电路绘图的准确性和质量，进而影响芯片的良率。长期以来，光刻胶在显影液中的微观行为已经成为“黑匣子”，行业内的优化流程只能依靠反复试验。这已经成为制约7纳米及以下先进工艺良率提升的主要瓶颈之一。为了解决这一问题，研究团队首次将低温电子断层扫描技术引入半导体领域。在晶圆上进行标准光刻曝光后，它们快速吸收电子显微镜网格上含有光刻胶聚合物的显影剂，并在几毫秒内迅速冻结成玻璃态，从而“冻结”溶液中光刻胶的真实状态。然后研究人员在冷冻电子显微镜中倾斜样品，以一系列倾斜角度收集二维投影图像，并然后基于计算机三维重建算法将二维图像组合成分辨率优于5纳米的高分辨率三维视图。该方法解决了传统技术无法实现的原位、三维、高分辨率观测三大痛点。它有多重要？这项研究的影响远远超出了光刻领域本身。冷冻电子断层扫描技术的强大功能 ipinakita IT 为在原子/分子尺度上原位研究液体环境中发生的各种化学反应（例如催化、合成甚至生命过程）提供了强大且多功能的工具。对于芯片行业来说，精确掌握高分子材料在液体中的微观行为，将极大促进先进制造诸多关键环节的工艺控制和良率提升，包括光刻、刻蚀、清洗等。神港证券Arch报告显示，光刻工艺是整个集成电路制造工艺中耗时最长、难度最大的工艺。花费约50%的时间，成本约占IC制造成本的1/3。光刻胶是光刻工艺中最重要的消耗品，光刻胶的质量关系到光刻工艺的好坏。从需求端来看，光刻胶可分为半导体光刻胶、面板光刻胶和PCB光刻胶。其中，半导体光刻胶的技术壁垒最高。据瑞冠产业研究院报告，2023年我国光刻胶市场规模约为109.2亿元，2024年将增长至114亿元以上。光刻机国产化正在加速。在光刻胶等材料领域取得新突破的同时，光刻机的国产化进程也让光刻机的国产化进程加快。ch作为芯片生产的主要设备，也备受关注。近年来，我国光刻机国产化进程加快，行业取得了一定进展。但相比国际顶级的安踏，还存在技术上的局限性。尤其是高端光刻机技术受制于国外供应商，这需要上下游共同努力应对问题。国内光刻机供应链主要包括上游设备及配套材料、中游光刻机系统集成及生产、光刻机下游应用三个主要环节。华金证券研报显示，在光刻机产业链的“卡壳”环节中，ASML/上海微电子等拥有深厚技术积累或直接/间接进入供应链的厂商包括：电子（688630.sh，直写光刻）、富创精密（元件）、钜光科技（688、富创167.Sh，光器件）、赛微电子（300456.sz，镜头物镜）、波长光电（301421.sz，光源）、奥普光电 （002338.sz，整机）、科技科技（688195.sh，光器件）、富晶科技（00 2222.光源）、茂莱光学（688502.Sh，光源）、电科数码（600850.SH，计算/控制模块）、新来电器材料（300260.sz，元器件）、美爱科技 (688376.sh)/敷设设备(30 0293.sz)（清洁设备）。股份有限公司（600619.Sh）（温控）、东方嘉盛（002889.SZ，服务）、上海微电子（整机，未上市）、华卓晶科（工件台，未上市）。 21世纪经济报道记者发现，目前我国在光刻机各个细分技术领域都有储备。对于准分子激光来说目前，科亿宏源将主要开发248nm准分子激光器、干式193nm准分子激光器等；富晶科技将生产KBBF晶体；中科院将研制40瓦干式准分子激光源。光学镜头方面，国旺光学将开发90nm节点arf光刻机曝光光学系统和110nm节点KRF光刻机曝光光学系统；中科科意将开发线性透镜镜片镀膜装置、纳米聚焦镜镀膜装置等。 特别声明：以上内容（如有则包括照片或视频）由自媒体平台“网易号”用户上传发布。本平台仅提供信息存储服务。 注：以上内容（如有，包括图片、视频）由网易号用户上传发布，网易号为社交媒体平台，仅提供信息存储服务。